SoC设计与验证

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    PTM

    功率器件及电源芯片设计验证

    Rdson提取 Gate Delay分析 电热分析

    PTM是应用于功率器件和电源芯片的设计分析套件,已被国际众多功率器件厂商认可和采纳。它不仅可以高精度提取Rdson,还可以验证器件的开关行为,确保利记的可靠性和寿命。

    • 采用基于边界的3D求解器,精准优化功率晶体管阵列中的导通电阻(Rdson)和Gate Delay。

    • 检查并优化电流密度“热点”,检查电迁移违规。

    • 优化版图布局和pad放置,检测缺失的通孔和金属电流拥挤。

    • 将协同设计扩展到芯片、封装和PCB环境,确保芯片电路更优电热性能。

    • 集成易用的结果查看器,使剖面分析报告和场视图清晰易懂。

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    利记亮点

    • 精准

      高精度参数提取和优化

    • 视图丰富

      2D视图、求解器视图和场视图

    • 布局优化

      分析Pad、Via位置

    • 可靠性

      分析电迁移、过热故障等隐患

    • 动态分析

      基于仿真的瞬态电热分析

    • 开关分析

      提升开关频率

    利记应用

    • 功率器件
      设计分析
      (IGBT)

    • 车规芯片
      设计分析

    • 电源芯片
      设计分析(PMIC/
      DC-DC转换器等)

    • 数模混合
      信号芯片
      设计分析

    • 协同优化
      系统电热性能
      (Chip/Package/PCB)

    • 高压氮化镓
      功率器件
      设计分析

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